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（文/汤普济 编辑/吕栋） 近期，国际媒体深入深圳华强北市场调研发现，存储产长长鑫存储部分服务器内存条的大规现货价格已逼近三星、SK海力士及美光三大DRAM巨头的模扩同规格产品。 据华强北商户反馈，挑战长鑫存储64GB服务器内存条长期处于供不应求状态，国际128GB产品单次到货量甚至不足10条；相比之下，存储产长海外品牌单月供货规模可达数万条。大规目前，模扩长鑫存储的挑战议价能力主要源于存储行业整体供应紧张的局面，而非其出货规模的国际优势。 尽管在手机存储领域，存储产长产业链消息指出长鑫存储出货量持续攀升，大规在国产安卓品牌手机中的模扩渗透率已超30%，并有望进一步向50%迈进，挑战但其LPDDR颗粒价格并未因需求激增而下调。相反，少量现货反而出现溢价，价格水平与国际大厂趋同。业内人士分析，长鑫存储同规格产品与SK海力士的价差通常仅为个位数百分比，部分产品甚至无明显价格差异，这同样受制于手机DRAM市场整体供应紧张的大环境。 面对炙手可热的存储市场，全球三大原厂纷纷启动大规模扩产计划： 7月9日，美光宣布将投资额上调至超2500亿美元（约合人民币1.9万亿元），其纽约工厂建成后将成为美国规模最大的半导体制造基地。 相比之下，长鑫存储在5月27日发布的招股说明书中披露，其在合肥和北京拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，产能规模居中国第一、全球第四，但与前三大国际厂商相比仍有差距，且现有产能尚无法满足国内全部市场需求。数据显示，2025年第四季度，长鑫存储在全球DRAM市场的销售额份额升至7.67%，但三大原厂合计仍占据九成以上的市场份额。 这一格局迫使长鑫存储必须直面一个核心问题：当国外巨头的新建产能陆续释放，现有的产能规模与定价体系能否抵御全球供给增加带来的价格冲击？ 答案已隐含在长鑫存储的招股书中。 扩充产能是长鑫存储给出的首要应对策略。公司计划投入75亿元改造现有晶圆量产线，推动产线向中高端产品转型；同时以180亿元实施DRAM技术升级，其中174亿元用于设备购置与安装。两项工程均计划于2028年上半年完成验收。据SemiAnalysis预测，长鑫晶圆月产能将从2025年底的约26.5万片，增长至2026年底的35万片、2027年底的42万片，并于2028年底达到约50万片，三年内产能接近翻倍，全球DRAM产能份额占比有望提升至17%左右。 资金保障是扩产落地的关键。7月9日，长鑫存储正式披露科创板IPO招股意向书，并于7月16日启动申购，拟募集资金295亿元，成为2026年以来A股规模最大的IPO之一。资金分配方面，75亿元用于量产线升级，130亿元用于DRAM技术升级，另有90亿元投向前瞻技术研究。 面向未来，工艺迭代与产品竞争力才是核心。2025年，长鑫存储研发投入达95.93亿元，同比增长约51%，重点投向第五代工艺平台，以及更高密度的LPDDR5X、LPDDR6和DDR5等下一代产品。此外，7月有报道称长鑫存储正测试“键合DRAM”试验线，试图通过晶圆键合技术进一步提升存储密度和性能，旨在与三星、SK海力士和美光同台竞技。 在撕下“低价替代”的旧标签后，长鑫存储面临的是构建可持续竞争力的挑战。唯有抓住当下机遇，将现货溢价转化为制造与技术优势，长鑫才能真正成为全球DRAM市场中的“第四极”。 本文系观察者网独家稿件，未经授权，不得转载。 |